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IPB60R299CPAATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPB60R299CPAATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 96W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 29nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1100pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 55 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.41 $1.38 $1.35
Minimale: 1

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