Image is for reference only , details as Specifications

IPB60R099C6ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPB60R099C6ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.21mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 99mOhm @ 18.1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 278W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max.) 119nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2660pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 37.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 3305 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SPP80P06PHXKSA1
Infineon Technologies
$3.08
FDP047AN08A0
ON Semiconductor
$3.08
STF26N60M2
STMicroelectronics
$3.06
STF13N80K5
STMicroelectronics
$3.06