Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPB22N03S4L15ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPB22N03S4L15ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 14.6mOhm @ 22A, 10V
Verlustleistung (Max.) 31W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max.) 14nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 980pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.87 $0.85 $0.84
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPP45N06S4L08AKSA2
Infineon Technologies
$0.87
PSMN2R1-40PLQ
Nexperia USA Inc.
$0.86
SIR878ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
IRFH5302DTRPBF
Infineon Technologies
$0.87
SIHA12N50E-E3
Vishay / Siliconix
$0.88