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IPB12CNE8N G

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPB12CNE8N G
Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12.9mOhm @ 67A, 10V
Verlustleistung (Max.) 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max.) 64nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 85V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4340pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 67A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 94 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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