IPB054N08N3GATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPB054N08N3GATMA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 5.4mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 150W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 69nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4750pF @ 40V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 88 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.63 | $1.60 | $1.57 |
Minimale: 1