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IPB029N06N3GE8187ATMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IPB029N06N3GE8187ATMA1 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3.2mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 188W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 165nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 13000pF @ 30V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 80 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.97 | $0.95 | $0.93 |
Minimale: 1
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