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IPB009N03LGATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPB009N03LGATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 250W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-7-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 227nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 25000pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 3384 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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