Image is for reference only , details as Specifications

IPAW60R280P7SXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPAW60R280P7SXKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 12A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 190µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 24W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 761pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 245 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.40 $1.37 $1.34
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPA80R1K4CEXKSA2
Infineon Technologies
$1.39
RCX200N20
ROHM Semiconductor
$1.35
IRF710SPBF
Vishay / Siliconix
$1.4
RCX160N20
ROHM Semiconductor
$1.35
TSM10NC65CF C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
$1.34