Image is for reference only , details as Specifications

IPA65R1K0CEXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPA65R1K0CEXKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Super Junction
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 68W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max.) 15.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 328pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 235 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.95 $0.93 $0.91
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SUD80460E-GE3
Vishay / Siliconix
$0.93
VN2410L-G
Lanka Micro
$0.9
TN0104N3-G
Lanka Micro
$0.9
IRF620PBF
Vishay / Siliconix
$0.88
TK30A06N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.88