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IPA50R650CE

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPA50R650CE
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Super Junction
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 650mOhm @ 1.8A, 13V
Verlustleistung (Max.) 27.2W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-FP
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 342pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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