Image is for reference only , details as Specifications

IPA037N08N3GXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPA037N08N3GXKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 155µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.7mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (Max.) 41W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-FP
Gate Charge (Qg) (Max.) 117nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 8110pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 537 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.42 $3.35 $3.28
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDMS86200DC
ON Semiconductor
$0
STH265N6F6-6AG
STMicroelectronics
$0
SIE812DF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
FDMS8050ET30
ON Semiconductor
$0
STB24N65M2
STMicroelectronics
$0