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IMW120R045M1XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IMW120R045M1XKSA1
Beschreibung: COOLSIC MOSFETS 1200V
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolSiC™
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) +20V, -10V
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5.7V @ 10mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 59mOhm @ 20A, 15V
Verlustleistung (Max.) 228W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-3-41
Gate Charge (Qg) (Max.) 52nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1.2kV
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1.9nF @ 800V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 52A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V

Auf Lager 90 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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