Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
IKB30N65ES5ATMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | IKB30N65ES5ATMA1 |
| Beschreibung: | INDUSTRY 14 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | TrenchStop™ 5 |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 70nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 188W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Testbedingung | 400V, 30A, 13Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 560µJ (on), 320µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 17ns/124ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 30A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 62A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 89 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.13 | $2.09 | $2.05 |
Minimale: 1
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