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IGW75N65H5XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IGW75N65H5XKSA1
Beschreibung: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie TrenchStop™
IGBT-Typ Trench
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 160nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 395W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Schalten der Energie 2.25mJ (on), 950µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 28ns/174ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 120A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 300A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 590 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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