Image is for reference only , details as Specifications

IGB50N65S5ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IGB50N65S5ATMA1
Beschreibung: IGBT PRODUCTS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie TrenchStop™ 5
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Digi-Reel®
Eingabetyp Standard
Gate Charge 120nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 270W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Schalten der Energie 1.23mJ (on), 740µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 20ns/139ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.7V @ 15V, 50A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 200A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 975 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IKD10N60RFATMA1
Infineon Technologies
$0
U291
Vishay / Siliconix
$0
U290-E3
Vishay / Siliconix
$0
U290
Vishay / Siliconix
$0
SST5486-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0