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IGB50N65H5ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IGB50N65H5ATMA1
Beschreibung: IGBT PRODUCTS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie TrenchStop™ 5
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Digi-Reel®
Eingabetyp Standard
Gate Charge 120nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 270W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Schalten der Energie 1.59mJ (on), 750µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 23ns/173ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 150A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 1853 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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