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IDC51D120T6MX1SA3
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Datenblatt: | IDC51D120T6MX1SA3 |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Kapazität - Vr, F | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | Sawn on foil |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 18µA @ 1200V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 100A |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -40°C ~ 175°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 2.05V @ 100A |
Auf Lager 92 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $7.60 | $7.45 | $7.30 |
Minimale: 1
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