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IAUT165N08S5N029ATMA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IAUT165N08S5N029ATMA2
Beschreibung: 80V 165A 2.9MOHM TOLL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 108µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.9mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (Max.) 167W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-HSOF-8-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 90nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6370pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 165A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 1482 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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