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IAUS300N08S5N012ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IAUS300N08S5N012ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerSMD, Gull Wing
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 275µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.2mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 375W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-HSOG-8-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 231nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 16250pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 1685 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.98 $6.84 $6.70
Minimale: 1

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