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IAUS200N08S5N023ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IAUS200N08S5N023ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 200A PG-HSOG-8-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerSMD, Gull Wing
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 130µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 200W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-HSOG-8-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 110nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7670pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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