IAUS200N08S5N023ATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IAUS200N08S5N023ATMA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 200A PG-HSOG-8-1 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerSMD, Gull Wing |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 130µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 200W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-HSOG-8-1 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 110nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 7670pF @ 40V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 96 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1