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IAUS165N08S5N029ATMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IAUS165N08S5N029ATMA1 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 108µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.9mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 167W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-HSOG-8-1 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 90nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 6370pF @ 40V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 165A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 1800 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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