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FZ3600R17HE4HOSA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FZ3600R17HE4HOSA2
Beschreibung: MODULE IGBT IHMB190-2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 21000W
Konfiguration Single Switch
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.3V @ 15V, 3600A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 7200A
Eingangskapazität (Cies) 295nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1700V

Auf Lager 54 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1,271.82 $1,246.38 $1,221.46
Minimale: 1

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