Image is for reference only , details as Specifications

FZ1800R17HE4B9HOSA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FZ1800R17HE4B9HOSA2
Beschreibung: MODULE IGBT IHMB190-2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 11500W
Konfiguration Single Switch
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.3V @ 15V, 1800A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1800A
Eingangskapazität (Cies) 145nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1700V

Auf Lager 54 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$906.26 $888.13 $870.37
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FD400R33KF2CKNOSA1
Infineon Technologies
$1107.41
FD400R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies
$1107.41
FD16001200R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
$1433.81
FZ400R33KL2CB5NOSA1
Infineon Technologies
$1424.42
FZ2400R17HP4B29BOSA2
Infineon Technologies
$1395.13