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FZ1800R12HE4B9HOSA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FZ1800R12HE4B9HOSA2
Beschreibung: MODULE IGBT IHMB190-2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 11000W
Konfiguration Single Switch
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 1800A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2735A
Eingangskapazität (Cies) 110nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 82 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$853.85 $836.77 $820.04
Minimale: 1

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