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FZ1200R45KL3B5NOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FZ1200R45KL3B5NOSA1
Beschreibung: MODULE IGBT A-IHV190-4
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 13500W
Konfiguration Single
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -50°C ~ 125°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.85V @ 15V, 1200A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1200A
Eingangskapazität (Cies) 280nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 4500V

Auf Lager 81 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2,372.33 $2,324.88 $2,278.39
Minimale: 1

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