Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
FZ1200R17HP4B2BOSA2
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | FZ1200R17HP4B2BOSA2 |
| Beschreibung: | MODULE IGBT IHMB130-1 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 7800W |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | No |
| Paket / Fall | Module |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 1200A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 1200A |
| Eingangskapazität (Cies) | 97nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1700V |
Auf Lager 51 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $933.27 | $914.60 | $896.31 |
Minimale: 1
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