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FP50R12KT4B11BOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FP50R12KT4B11BOSA1
Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 50A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie *
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 280W
Konfiguration Three Phase Inverter
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50A
Eingangskapazität (Cies) 2.8nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 29 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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