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FF800R17KF6CB2NOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FF800R17KF6CB2NOSA1
Beschreibung: IGBT MODULE VCES 1200V 800A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 6250W
Konfiguration 2 Independent
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.1V @ 15V, 800A
Eingangskapazität (Cies) 52nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1.5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1700V

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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