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FF225R17ME4B11BOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FF225R17ME4B11BOSA1
Beschreibung: IGBT MODULE VCES 1200V 225A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 1500W
Konfiguration 2 Independent
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.3V @ 15V, 225A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 340A
Eingangskapazität (Cies) 18.5nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 3mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1700V

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$144.58 $141.69 $138.85
Minimale: 1

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