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FF200R17KE3HOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FF200R17KE3HOSA1
Beschreibung: IGBT MODULE 1700V 200A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie C
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 1250W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.45V @ 15V, 200A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 310A
Eingangskapazität (Cies) 18nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 3mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1700V

Auf Lager 120 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$133.04 $130.38 $127.77
Minimale: 1

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