Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
FF200R12KE4HOSA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | FF200R12KE4HOSA1 |
| Beschreibung: | IGBT MODULE 1200V 200A |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | C |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1100W |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | No |
| Paket / Fall | Module |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 240A |
| Eingangskapazität (Cies) | 14nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 24 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $100.81 | $98.79 | $96.82 |
Minimale: 1
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