FF200R12KE4HOSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
Datenblatt: | FF200R12KE4HOSA1 |
Beschreibung: | IGBT MODULE 1200V 200A |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
Eingabe | Standard |
Serie | C |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 1100W |
Konfiguration | Half Bridge |
Montagetyp | Chassis Mount |
NTC-Thermistor | No |
Paket / Fall | Module |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | Module |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 240A |
Eingangskapazität (Cies) | 14nF @ 25V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 24 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$100.81 | $98.79 | $96.82 |
Minimale: 1