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FF1200R12KE3NOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FF1200R12KE3NOSA1
Beschreibung: IGBT MODULE VCES 1200V 1200A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 5000W
Konfiguration 2 Independent
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.15V @ 15V, 1200A
Eingangskapazität (Cies) 86nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 56 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$968.16 $948.80 $929.82
Minimale: 1

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