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FD-DF80R12W1H3_B52
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | FD-DF80R12W1H3_B52 |
| Beschreibung: | IGBT MODULE VCES 1200V 40A |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 215W |
| Konfiguration | Single |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Paket / Fall | Module |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 40A |
| Eingangskapazität (Cies) | 235nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 73 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $35.99 | $35.27 | $34.56 |
Minimale: 1
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