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DF650R17IE4BOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: DF650R17IE4BOSA1
Beschreibung: MOD IGBT 650A PRIME2-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie PrimePack™2
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 4150W
Konfiguration Single
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 930A
Eingangskapazität (Cies) 54nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1700V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$385.34 $377.63 $370.08
Minimale: 1

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