DF1000R17IE4DB2BOSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
Datenblatt: | DF1000R17IE4DB2BOSA1 |
Beschreibung: | IGBT MODULE 1700V 1000A |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
Eingabe | Standard |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 6250W |
Konfiguration | Single |
Montagetyp | Chassis Mount |
NTC-Thermistor | Yes |
Paket / Fall | Module |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Lieferanten-Gerätepaket | Module |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Eingangskapazität (Cies) | 81nF @ 25V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1700V |
Auf Lager 55 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$603.16 | $591.10 | $579.27 |
Minimale: 1