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DD800S17H4B2BOSA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Arrays
Datenblatt: DD800S17H4B2BOSA2
Beschreibung: DIODE MODUL GP 1700V AGIHMB130-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Arrays
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Tray
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall Module
Diodenkonfiguration 2 Independent
Lieferanten-Gerätepaket AG-IHMB130-1
Strom - Reverse Leakage - Vr 900A @ 900V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1700V
Betriebstemperatur - Kreuzung -40°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 2.1V @ 800A
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) -

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$822.75 $806.30 $790.17
Minimale: 1

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