Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
DD1200S17H4B2BOSA2
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Datenblatt: | DD1200S17H4B2BOSA2 |
| Beschreibung: | DIODE MODULE 1200V 1200A |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Diodenkonfiguration | 2 Independent |
| Lieferanten-Gerätepaket | AG-IHMB130-1 |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 1250A @ 900V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -40°C ~ 150°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 2.1V @ 1200A |
| Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) | - |
Auf Lager 63 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $933.27 | $914.60 | $896.31 |
Minimale: 1
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