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DD1200S12H4HOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: DD1200S12H4HOSA1
Beschreibung: MOD DIODE 1200A IHMB130-2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 1200000W
Konfiguration 2 Independent
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.35V @ 15V, 1200A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1200A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$616.97 $604.63 $592.54
Minimale: 1

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