DD1200S12H4HOSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
Datenblatt: | DD1200S12H4HOSA1 |
Beschreibung: | MOD DIODE 1200A IHMB130-2 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
Eingabe | Standard |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 1200000W |
Konfiguration | 2 Independent |
Montagetyp | Chassis Mount |
NTC-Thermistor | No |
Paket / Fall | Module |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Lieferanten-Gerätepaket | Module |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 1200A |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 1200A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 93 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$616.97 | $604.63 | $592.54 |
Minimale: 1