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BUZ80A

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BUZ80A
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 100W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1350pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 93 pcs

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