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BTS282Z E3230

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BTS282Z E3230
Beschreibung: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TEMPFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Temperature Sensing Diode
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-7
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 240µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V
Verlustleistung (Max.) 300W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket P-TO220-7-230
Gate Charge (Qg) (Max.) 232nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 49V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4800pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 76 pcs

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