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BSZ42DN25NS3GATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSZ42DN25NS3GATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 13µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 425mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 33.8W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TSDSON-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 430pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 4821 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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