Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
BSZ180P03NS3EGATMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | BSZ180P03NS3EGATMA1 |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 48µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 2.1W (Ta), 40W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-TSDSON-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 30nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2220pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A (Ta), 39.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 4107 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
