Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BSZ068N06NSATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSZ068N06NSATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 20µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.8mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TSDSON-8-FL
Gate Charge (Qg) (Max.) 21nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1500pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 19475 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SI4156DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
AOD4126
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
PSMN010-80YLX
Nexperia USA Inc.
$0
PSMN2R4-30YLDX
Nexperia USA Inc.
$0
PSMN016-100YS,115
Nexperia USA Inc.
$0