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BSS806NEH6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSS806NEH6327XTSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 0.75V @ 11µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Verlustleistung (Max.) 500mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.7nC @ 2.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 529pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 2.5V

Auf Lager 2431 pcs

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