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BSS670S2L

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSS670S2L
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 2.7µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 650mOhm @ 270mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 360mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 2.26nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 75pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 540mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 86 pcs

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