BSS225H6327FTSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BSS225H6327FTSA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | SIPMOS® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-243AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 45Ohm @ 90mA, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-SOT89 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 5.8nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 131pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 90mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 4707 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1