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BSS225H6327FTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSS225H6327FTSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 45Ohm @ 90mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT89
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 131pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 90mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 4707 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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