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BSS209PW L6327

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSS209PW L6327
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.5µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 550mOhm @ 580mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 300mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT323-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.38nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 89.9pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 580mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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