Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BSP88L6327HTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSP88L6327HTSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 108µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.7W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT223-4
Gate Charge (Qg) (Max.) 6.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 240V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 95pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 350mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 4.5V

Auf Lager 97 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BSP317PE6327T
Infineon Technologies
$0
BSP316PE6327T
Infineon Technologies
$0
BSP315PE6327T
Infineon Technologies
$0
BSP295E6327T
Infineon Technologies
$0
BSP171PE6327T
Infineon Technologies
$0