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BSP320SH6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSP320SH6327XTSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 120mOhm @ 2.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT223-4
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 340pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.9A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 5677 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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