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BSP300L6327HUSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSP300L6327HUSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 20Ohm @ 190mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT223-4
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 230pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 190mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 97 pcs

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